Технология: CMOS
Тип сцинтиллятора: Сцинтиллятор на основе иодида цезия: CsI(TI)
Размеры пикселя (H x V): 20 x 20 мкм
Шаг пикселя: 25 пл/мм
Динамичный диапазон: 57 дБ
Разрывная прочность: 100 Н
Максимальное излучение: 57,6 Гр (@ T = 25°C, 60 кВп)
Керма в воздухе для предусмотренного исп: мин. 0,4 мГр, макс. 1,1 мГр
Длина кабеля: 2,0 ± 0,1 м
Диаметр кабеля: 3.7 ± 0.3 м
Полезный срок службы: 50 000 снимков при макс. 1,1 мГр